Method of manufacturing air gap isolation in high-density non-volatile memory

WO2012097153 Art A1 19. Juli 2012

Anmelder: SanDisk Technologies Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2012097153
Aktenzeichen: EP12702918
Anmeldetag: 12. Januar 2012
Veröffentlichung: 19. Juli 2012
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/8247H01L27/115H01L21/764

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: SanDisk Technologies Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 SanDisk

US-amerikanischer Hersteller von Flash-Speicherprodukten wie SSDs, Speicherkarten und USB-Sticks. Das Unternehmen war zeitweise Teil von Western Digital und agiert seit 2025 wieder eigenständig.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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