Method of manufacturing field effect transistor

WO2012097606 Art A1 26. Juli 2012

Anmelder: Fudan University 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2012097606
Aktenzeichen: EP11856332
Anmeldetag: 28. September 2011
Veröffentlichung: 26. Juli 2012
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/336H01L21/324

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Fudan University
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Fudan University

Die Fudan University ist eine chinesische Eliteuniversität mit Sitz in Shanghai und breiter Forschung in Medizin und Chemie. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Medizintechnik und Gesundheit sowie organische Chemie, ergänzt durch Pharma und Halbleitertechnik. Anmeldungen erstrecken sich von 2000 bis 2025.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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