A Hybrid Iii-V Silicon Laser Formed By Direct Bonding
WO2012098471
Art A2
26. Juli 2012
Anmelder: Intel Corporation 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2012098471
- Aktenzeichen
- EP12736942
- Anmeldetag
- 17. März 2012
- Veröffentlichung
- 26. Juli 2012
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01S5/343H01S5/20
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Intel Corporation
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Intel
US-amerikanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kalifornien. Entwickelt und produziert Prozessoren, Chipsätze sowie weitere Halbleiterkomponenten für Computer, Server und eingebettete Systeme.
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