Bonded substrate and method for producing same

WO2012098825 Art A1 26. Juli 2012

Anmelder: Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2012098825
Aktenzeichen: EP12736985
Anmeldetag: 5. Januar 2012
Veröffentlichung: 26. Juli 2012
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/02G01L9/00H01L21/336H01L27/12H01L29/786H01L29/84

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Shin-Etsu Handotai Co., Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Shin-Etsu Handotai

Japanisches Unternehmen der Shin-Etsu-Gruppe, das Siliziumwafer für die Halbleiterindustrie herstellt.

1.022 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik

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