Silicon carbide single crystal substrate and method for producing semiconductor element

WO2012099209 Art A1 26. Juli 2012

Anmelder: Bridgestone Corporation 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2012099209
Aktenzeichen: EP12736972
Anmeldetag: 19. Januar 2012
Veröffentlichung: 26. Juli 2012
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/338C01B31/36C23C16/26C23C16/42H01L29/06H01L29/778H01L29/812H01L51/30H01L51/40

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Bridgestone Corporation
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Bridgestone

Japanischer Reifen- und Kautschukkonzern mit Sitz in Tokio. Bridgestone entwickelt Reifen für Automobile, Motorräder und Nutzfahrzeuge sowie Gummi- und Industrieprodukte.

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Fachgebiete

Anorganische Chemie & Werkstoffe Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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