A method for fabricating an organic thin film transistor with a fluropolymer banked crystallization well and an organic thin film transistor

WO2012099227 Art A1 26. Juli 2012

Anmelder: Sharp Kabushiki Kaisha 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2012099227
Aktenzeichen: EP12736591
Anmeldetag: 13. Januar 2012
Veröffentlichung: 26. Juli 2012
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/336H01L29/786H01L51/05H01L51/40

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Sharp Kabushiki Kaisha
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Sharp

Japanischer Elektronikkonzern mit Sitz in Sakai bei Osaka, seit 2016 mehrheitlich zu Foxconn gehörend. Aktiv in Displaytechnik (LCD, OLED), Unterhaltungselektronik, Haushaltsgeräten sowie Halbleiter- und Solartechnologie.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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