Transparent ion sensor chip using a field-effect-transistor-type signal converter in which an extended gate electrode is formed, and method for manufacturing the sensor chip

WO2012099446 Art A2 26. Juli 2012

Anmelder: Research & Business Foundation Sungkyunkwan University 🇰🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2012099446
Aktenzeichen: EP12736349
Anmeldetag: 20. Januar 2012
Veröffentlichung: 26. Juli 2012
Rechtsraum: WO
IPC: G01N27/414

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Abstract

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Anmelder

Firma: Research & Business Foundation Sungkyunkwan University
Land: 🇰🇷 Südkorea

🇰🇷 Research & Business Foundation Sungkyunkwan University

Die Research & Business Foundation Sungkyunkwan University ist die Technologietransfer- und Patentverwertungsstelle der südkoreanischen Sungkyunkwan-Universität. Das Portfolio streut breit über Medizintechnik, Halbleiter und Nachrichtentechnik, mit weiteren Anmeldungen in Mess- und Softwaretechnik. Anmeldungen stammen aus den Jahren 2011 bis 2025.

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Fachgebiete

Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik

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