High-voltage resistant lateral double-diffused transistor based on nanowire device

WO2012100458 Art A1 2. August 2012

Anmelder: Peking University 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2012100458
Aktenzeichen: EP11856963
Anmeldetag: 1. April 2011
Veröffentlichung: 2. August 2012
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/78H01L29/06H01L29/36

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Peking University
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Peking University

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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