Ge-on-insulator structure and method for forming the same

WO2012100519 Art A1 2. August 2012

Anmelder: Tsinghua University 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2012100519
Aktenzeichen: EP11857243
Anmeldetag: 27. Juli 2011
Veröffentlichung: 2. August 2012
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/84H01L27/12

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Tsinghua University
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Tsinghua University

Chinesische Universität mit Sitz in Peking, eine der führenden Forschungshochschulen des Landes. Aktiv in Ingenieurwissenschaften, Informatik, Materialwissenschaften und Naturwissenschaften sowie in zahlreichen technischen Anwendungsfeldern.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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