Method for preparing germanium-based schottky n-type field effect transistor

WO2012100563 Art A1 2. August 2012

Anmelder: Peking University 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2012100563
Aktenzeichen: EP11857392
Anmeldetag: 14. Oktober 2011
Veröffentlichung: 2. August 2012
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/336H01L29/47H01L29/78

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Peking University
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Peking University

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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