Method for manufacturing nitride semiconductor element

WO2012101856 Art A1 2. August 2012

Anmelder: Sumitomo Electric Industries, Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2012101856
Aktenzeichen: EP11857090
Anmeldetag: 24. August 2011
Veröffentlichung: 2. August 2012
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/80H01L21/20H01L21/205H01L21/331H01L21/336H01L21/338H01L29/12H01L29/737H01L29/778H01L29/78H01L29/812

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Sumitomo Electric Industries, Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Sumitomo Electric Industries

Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Osaka, Teil der Sumitomo-Gruppe. Aktiv in Kabel- und Glasfasertechnologie, Halbleitern, Automobilkomponenten sowie Elektronik- und Werkstofftechnik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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