Silicon single-crystal wafer production method, and annealed wafer

WO2012101957 Art A1 2. August 2012

Anmelder: Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2012101957
Aktenzeichen: EP12739532
Anmeldetag: 6. Januar 2012
Veröffentlichung: 2. August 2012
Rechtsraum: WO
IPC: C30B29/06C30B33/02H01L21/324

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Shin-Etsu Handotai Co., Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Shin-Etsu Handotai

Japanisches Unternehmen der Shin-Etsu-Gruppe, das Siliziumwafer für die Halbleiterindustrie herstellt.

1.022 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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