Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device

WO2012102314 Art A1 2. August 2012

Anmelder: Semiconductor Energy Laboratory Co. Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2012102314
Aktenzeichen: EP12739989
Anmeldetag: 19. Januar 2012
Veröffentlichung: 2. August 2012
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/786G03F7/40H01L21/28H01L21/3205H01L21/336H01L21/8242H01L21/8247H01L27/108H01L27/115H01L27/146H01L29/417H01L29/788H01L29/792

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Semiconductor Energy Laboratory Co. Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Semiconductor Energy Laboratory

Japanisches Forschungsunternehmen mit Sitz in Atsugi. Semiconductor Energy Laboratory (SEL) forscht an Halbleitertechnologien, Flüssigkristall- und OLED-Displays sowie Dünnschichttransistoren.

4.187 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Optik & Fototechnik

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