Silicon carbide bipolar junction transistor comprising shielding regions and method of manufacturing the same

WO2012104322 Art A1 9. August 2012

Anmelder: Fairchild Semiconductor Corporation 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2012104322
Aktenzeichen: EP12702240
Anmeldetag: 31. Januar 2012
Veröffentlichung: 9. August 2012
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/10H01L29/732H01L29/16H01L29/66H01L29/04

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Fairchild Semiconductor Corporation
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Fairchild Semiconductor

Fairchild Semiconductor war ein US-amerikanischer Halbleiterhersteller, der 2016 von ON Semiconductor übernommen wurde. Das Patentportfolio konzentriert sich fast vollständig auf Halbleiter- und Schaltungstechnik sowie Leistungselektronik. Die Anmeldungen stammen aus den Jahren 2000 bis 2017.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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