Semiconductor device

WO2012105609 Art A1 9. August 2012

Anmelder: Rohm Co., Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2012105609
Aktenzeichen: EP12742472
Anmeldetag: 1. Februar 2012
Veröffentlichung: 9. August 2012
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/78H01L21/28H01L21/336H01L21/822H01L21/8234H01L27/04H01L27/06H01L27/088H01L29/12H01L29/41H01L29/47H01L29/872

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Rohm Co., Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Rohm

Japanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kyoto, spezialisiert auf integrierte Schaltkreise, diskrete Halbleiterbauelemente und Leistungshalbleiter (unter anderem Siliziumkarbid-Bauteile).

2.771 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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