Semiconductor power device and method for producing same

WO2012105611 Art A1 9. August 2012

Anmelder: Rohm Co., Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2012105611
Aktenzeichen: EP12741812
Anmeldetag: 1. Februar 2012
Veröffentlichung: 9. August 2012
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/47H01L21/283H01L21/336H01L29/06H01L29/12H01L29/423H01L29/49H01L29/78H01L29/872

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Rohm Co., Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Rohm

Japanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kyoto, spezialisiert auf integrierte Schaltkreise, diskrete Halbleiterbauelemente und Leistungshalbleiter (unter anderem Siliziumkarbid-Bauteile).

2.771 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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