Radical etching device and method
WO2012108321
Art A1
16. August 2012
Anmelder: ULVAC, Inc. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2012108321
- Aktenzeichen
- EP12744579
- Anmeldetag
- 1. Februar 2012
- Veröffentlichung
- 16. August 2012
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L21/3065
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- ULVAC, Inc.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
ULVAC
Japanisches Unternehmen mit Sitz in Chigasaki, spezialisiert auf Vakuumtechnik sowie Anlagen für die Halbleiter- und Displayfertigung.
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