Silicon diaphragm formation with embedded oxide support
WO2012108758
Art A2
16. August 2012
Anmelder: Mimos, Berhad 🇲🇾
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2012108758
- Aktenzeichen
- EP12745038
- Anmeldetag
- 13. März 2012
- Veröffentlichung
- 16. August 2012
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L21/74
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Mimos, Berhad
- Land
- 🇲🇾 Malaysia
🇲🇾
Mimos Berhad
Malaysisches staatliches Forschungsinstitut für Informations- und Kommunikationstechnologie mit Sitz in Kuala Lumpur. Die Patente decken Halbleitertechnik, Mikroelektronik und IT-Sicherheit ab.
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