Methods of forming rutile titanium dioxide and associated methods of forming semiconductor structures

WO2012109026 Art A2 16. August 2012

Anmelder: Micron Technology, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2012109026
Aktenzeichen: EP12745179
Anmeldetag: 26. Januar 2012
Veröffentlichung: 16. August 2012
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/31

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Micron Technology, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Micron Technology

US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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