Led Mesa Sidewall Isolation By Ion Implantation

WO2012109110 Art A1 16. August 2012

Anmelder: Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2012109110
Aktenzeichen: EP12707168
Anmeldetag: 3. Februar 2012
Veröffentlichung: 16. August 2012
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/265H01L33/44H01L33/00

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc.

Varian Semiconductor Equipment Associates war ein US-amerikanischer Hersteller von Halbleiteranlagen, seit 2011 Teil von Applied Materials. Die Patente betreffen Ionenimplantation und Halbleiterfertigung.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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