Method of etching features in silicon nitride films

WO2012109159 Art A1 16. August 2012

Anmelder: Tokyo Electron Limited 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2012109159
Aktenzeichen: EP12745128
Anmeldetag: 6. Februar 2012
Veröffentlichung: 16. August 2012
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/306H01L21/00

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Tokyo Electron Limited
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Tokyo Electron

Japanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Tokio, einer der weltweit größten Hersteller von Halbleiterfertigungsanlagen. Aktiv in Beschichtungs-, Ätz- und Reinigungssystemen für die Chip- und Displayproduktion.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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