Verfahren zur Herstellung Zumindest eines Optoelektronischen Halbleiterbauelements
WO2012110147
Art A1
23. August 2012
Anmelder: Osram Opto Semiconductors Gmbh 🇩🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2012110147
- Aktenzeichen
- EP11802944
- Anmeldetag
- 21. Dezember 2011
- Veröffentlichung
- 23. August 2012
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L33/62H01L33/54H01L33/60
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Osram Opto Semiconductors Gmbh
- Land
- 🇩🇪 Deutschland
🇩🇪
OSRAM Opto Semiconductors
Deutsches Unternehmen für optoelektronische Halbleiter mit Sitz in Regensburg, Tochtergesellschaft von OSRAM. Es entwickelt LEDs, Laserdioden und Sensoren für Beleuchtung, Automobil- und Consumer-Elektronik.
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