Photoresist composition and resist pattern formation method

WO2012111450 Art A1 23. August 2012

Anmelder: JSR Corporation 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2012111450
Aktenzeichen: EP12746850
Anmeldetag: 2. Februar 2012
Veröffentlichung: 23. August 2012
Rechtsraum: WO
IPC: G03F7/039G03F7/004G03F7/038G03F7/32H01L21/027

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: JSR Corporation
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 JSR Corporation

JSR Corporation ist ein japanisches Chemieunternehmen, das synthetische Kautschuke sowie Materialien für die Halbleiter- und Displayindustrie herstellt.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Optik & Fototechnik

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