Gap embedding composition, method of embedding gap and method of producing semiconductor device by using the composition

WO2012111459 Art A1 23. August 2012

Anmelder: FUJIFILM Corporation 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2012111459
Aktenzeichen: EP12746958
Anmeldetag: 30. Januar 2012
Veröffentlichung: 23. August 2012
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/3065G03F7/40H01L21/027H01L21/312

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: FUJIFILM Corporation
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Fujifilm

Japanischer Konzern, hervorgegangen aus der Fotofilmherstellung, heute aktiv in Bildgebung, Dokumentenlösungen, Materialwissenschaften sowie Diagnostik und Arzneimittelherstellung.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Optik & Fototechnik

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