Halbleiterchipgehäuseanordnung und Herstellungsverfahren

WO2012113645 Art A1 30. August 2012

Anmelder: OSRAM Opto Semiconductors GmbH 🇩🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2012113645
Aktenzeichen: EP12703780
Anmeldetag: 7. Februar 2012
Veröffentlichung: 30. August 2012
Rechtsraum: WO
IPC: H01L23/31H01L23/495

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: OSRAM Opto Semiconductors GmbH
Land: 🇩🇪 Deutschland

🇩🇪 OSRAM Opto Semiconductors

Deutsches Unternehmen für optoelektronische Halbleiter mit Sitz in Regensburg, Tochtergesellschaft von OSRAM. Es entwickelt LEDs, Laserdioden und Sensoren für Beleuchtung, Automobil- und Consumer-Elektronik.

2.304 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von