High-quality hexagonal boron-nitride nanosheet using a multi-component low eutectic temperature system
WO2012115348
Art A2
30. August 2012
Anmelder: Korea Advanced Institute Of Science And Technology 🇰🇷
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2012115348
- Aktenzeichen
- EP12750103
- Anmeldetag
- 9. Januar 2012
- Veröffentlichung
- 30. August 2012
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- C01B35/08C04B35/58B82B3/00
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Korea Advanced Institute Of Science And Technology
- Land
- 🇰🇷 Südkorea
🇰🇷
KAIST
Südkoreanische technische Universität und Forschungsinstitution mit Fokus auf Ingenieurwissenschaften, Naturwissenschaften und Technologieentwicklung, unter anderem in Robotik und Elektronik.
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