Low power consumption tunneling field-effect transistor with finger-shape gate structure

WO2012116522 Art A1 7. September 2012

Anmelder: Peking University 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2012116522
Aktenzeichen: EP11859679
Anmeldetag: 19. Mai 2011
Veröffentlichung: 7. September 2012
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/78

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Peking University
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Peking University

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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