Substrate structure, method of forming the substrate structure and chip comprising the substrate structure
WO2012116607
Art A1
7. September 2012
Anmelder: Shenzhen BYD Auto R&D Company Limited, BYD Company Limited 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2012116607
- Aktenzeichen
- EP12752115
- Anmeldetag
- 21. Februar 2012
- Veröffentlichung
- 7. September 2012
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L33/20
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Shenzhen BYD Auto R&D Company Limited
BYD Company Limited - Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
BYD
Chinesischer Konzern für Elektromobilität und Batterietechnik mit Sitz in Shenzhen. BYD entwickelt Elektro- und Hybridfahrzeuge, Akkumulatoren sowie Elektronik- und Halbleiterkomponenten.
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