Solid-State Memory

WO2012117773 Art A1 7. September 2012

Anmelder: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2012117773
Aktenzeichen: EP12752465
Anmeldetag: 25. Januar 2012
Veröffentlichung: 7. September 2012
Rechtsraum: WO
IPC: H01L27/10H01L27/105H01L45/00

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 National Institute of Advanced Industrial Science and Technology

Staatliches japanisches Forschungsinstitut (AIST), das breit angelegte angewandte Forschung in Bereichen wie Materialwissenschaft, Energie, Elektronik und Biotechnologie betreibt.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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