Composition for formation of resist underlayer film, method of forming pattern and resist underlayer film

WO2012117948 Art A1 7. September 2012

Anmelder: JSR Corporation 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2012117948
Aktenzeichen: EP12752533
Anmeldetag: 23. Februar 2012
Veröffentlichung: 7. September 2012
Rechtsraum: WO
IPC: G03F7/11C08F212/02C08F220/18C08G8/08C08G10/06G03F7/033G03F7/26H01L21/027

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: JSR Corporation
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 JSR Corporation

JSR Corporation ist ein japanisches Chemieunternehmen, das synthetische Kautschuke sowie Materialien für die Halbleiter- und Displayindustrie herstellt.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Kunststoff- & Polymertechnik Optik & Fototechnik

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