Method for forming metal thin film, metal thin film, and device for forming metal thin film

WO2012118200 Art A1 7. September 2012

Anmelder: The University of Tokyo 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2012118200
Aktenzeichen: EP12752144
Anmeldetag: 2. März 2012
Veröffentlichung: 7. September 2012
Rechtsraum: WO
IPC: C23C16/18C23C16/452H01L21/285

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: The University of Tokyo
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 University of Tokyo

Japanische Universität mit Sitz in Tokio, eine der führenden Forschungsuniversitäten Asiens. Die Universität ist in nahezu allen wissenschaftlichen und technischen Disziplinen aktiv, darunter Materialwissenschaften, Elektrotechnik, Biotechnologie und Medizin.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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