Gated bipolar junction transistors, memory arrays, and methods of forming gated bipolar junction transistors

WO2012118614 Art A2 7. September 2012

Anmelder: Micron Technology, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2012118614
Aktenzeichen: EP12752113
Anmeldetag: 14. Februar 2012
Veröffentlichung: 7. September 2012
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/73H01L27/102H01L27/082

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Micron Technology, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Micron Technology

US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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