Silicon germanium mask for deep silicon etching

WO2012118951 Art A2 7. September 2012

Anmelder: King Abdullah University of Science and Technology, The American University in Cairo 🇸🇦

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2012118951
Aktenzeichen: EP12752316
Anmeldetag: 1. März 2012
Veröffentlichung: 7. September 2012
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/311

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: King Abdullah University of Science and Technology
The American University in Cairo
Land: 🇸🇦 Saudi-Arabien

🇸🇦 KAUST

Saudi-arabische Forschungsuniversität in Thuwal am Roten Meer, gegründet 2009, mit Schwerpunkten in Ingenieurwissenschaften, Materialforschung und angewandten Naturwissenschaften.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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