Guard electrode device for ultra-shallow junction deep-ultraviolet laser annealing apparatus

WO2012119280 Art A1 13. September 2012

Anmelder: Tsinghua University 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2012119280
Aktenzeichen: EP11860140
Anmeldetag: 21. Juli 2011
Veröffentlichung: 13. September 2012
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/00H01L21/268

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Tsinghua University
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Tsinghua University

Chinesische Universität mit Sitz in Peking, eine der führenden Forschungshochschulen des Landes. Aktiv in Ingenieurwissenschaften, Informatik, Materialwissenschaften und Naturwissenschaften sowie in zahlreichen technischen Anwendungsfeldern.

1.696 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von