Strained ge-on-insulator structure and method for forming the same

WO2012119417 Art A1 13. September 2012

Anmelder: Tsinghua University 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2012119417
Aktenzeichen: EP11860501
Anmeldetag: 25. August 2011
Veröffentlichung: 13. September 2012
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/06H01L29/78H01L21/762H01L21/336

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Tsinghua University
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Tsinghua University

Chinesische Universität mit Sitz in Peking, eine der führenden Forschungshochschulen des Landes. Aktiv in Ingenieurwissenschaften, Informatik, Materialwissenschaften und Naturwissenschaften sowie in zahlreichen technischen Anwendungsfeldern.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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