Semiconductor device for preventing malfunction of non-volatile memory caused by instantaneous power failure

WO2012120591 Art A1 13. September 2012

Anmelder: Renesas Electronics Corporation 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2012120591
Aktenzeichen: EP11860195
Anmeldetag: 4. März 2011
Veröffentlichung: 13. September 2012
Rechtsraum: WO
IPC: G11C16/02

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Renesas Electronics Corporation
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Renesas Electronics

Japanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Tokio, spezialisiert auf Mikrocontroller, analoge Bauelemente und Halbleiterlösungen unter anderem für die Automobil- und Industrieelektronik.

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Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung

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