Method for manufacturing semiconductor device

WO2012120659 Art A1 13. September 2012

Anmelder: The University of Tokyo 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2012120659
Aktenzeichen: EP11860318
Anmeldetag: 9. März 2011
Veröffentlichung: 13. September 2012
Rechtsraum: WO
IPC: H01L25/065H01L21/3205H01L23/52H01L25/07H01L25/18H01L27/00

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: The University of Tokyo
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 University of Tokyo

Japanische Universität mit Sitz in Tokio, eine der führenden Forschungsuniversitäten Asiens. Die Universität ist in nahezu allen wissenschaftlichen und technischen Disziplinen aktiv, darunter Materialwissenschaften, Elektrotechnik, Biotechnologie und Medizin.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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