Semiconductor substrate, semiconductor device, and method for producing semiconductor substrate

WO2012120869 Art A1 13. September 2012

Anmelder: Sumitomo Chemical Company Limited, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2012120869
Aktenzeichen: EP12754316
Anmeldetag: 5. März 2012
Veröffentlichung: 13. September 2012
Rechtsraum: WO
IPC: H01L31/10H01L27/146

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firmen: Sumitomo Chemical Company Limited
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Sumitomo Chemical

Japanischer Chemiekonzern mit Sitz in Tokio, Teil der Sumitomo-Gruppe. Aktiv in Petrochemie, Agrochemie, Pharmazeutika, Elektronikmaterialien, Energiematerialien und Kunststoffen.

7.414 Patente in unserer Datenbank

🇯🇵 National Institute of Advanced Industrial Science and Technology

Staatliches japanisches Forschungsinstitut (AIST), das breit angelegte angewandte Forschung in Bereichen wie Materialwissenschaft, Energie, Elektronik und Biotechnologie betreibt.

3.785 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von