Normally-Off Heterojunction Field-Effect Transistor

WO2012120934 Art A1 13. September 2012

Anmelder: Sharp Kabushiki Kaisha 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2012120934
Aktenzeichen: EP12754326
Anmeldetag: 25. Januar 2012
Veröffentlichung: 13. September 2012
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/338H01L29/423H01L29/47H01L29/778H01L29/812H01L29/872

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Sharp Kabushiki Kaisha
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Sharp

Japanischer Elektronikkonzern mit Sitz in Sakai bei Osaka, seit 2016 mehrheitlich zu Foxconn gehörend. Aktiv in Displaytechnik (LCD, OLED), Unterhaltungselektronik, Haushaltsgeräten sowie Halbleiter- und Solartechnologie.

22.803 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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