End Face Emission Type Semiconductor Laser Element

WO2012121083 Art A1 13. September 2012

Anmelder: Kyoto University, Hamamatsu Photonics K.K. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2012121083
Aktenzeichen: EP12755629
Anmeldetag: 29. Februar 2012
Veröffentlichung: 13. September 2012
Rechtsraum: WO
IPC: H01S5/22H01S5/12

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: Kyoto University
Hamamatsu Photonics K.K.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Kyoto University

Renommierte japanische Universität mit breiter Grundlagenforschung in Naturwissenschaften, Medizin und Ingenieurwesen.

1.706 Patente in unserer Datenbank

🇯🇵 Hamamatsu Photonics

Japanisches Unternehmen für Photonik mit Sitz in Hamamatsu, spezialisiert auf Photodetektoren, Bildsensoren, Laser und optische Messtechnik für Wissenschaft und Industrie.

1.968 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von