Wet etching method, method for forming wiring pattern, and method for manufacturing active matrix substrate

WO2012121136 Art A1 13. September 2012

Anmelder: Sharp Kabushiki Kaisha 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2012121136
Aktenzeichen: EP12755218
Anmeldetag: 2. März 2012
Veröffentlichung: 13. September 2012
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/306C23F1/18C23F1/26G02F1/1368H01L21/28H01L21/3213H01L21/336H01L29/417H01L29/786

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Sharp Kabushiki Kaisha
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Sharp

Japanischer Elektronikkonzern mit Sitz in Sakai bei Osaka, seit 2016 mehrheitlich zu Foxconn gehörend. Aktiv in Displaytechnik (LCD, OLED), Unterhaltungselektronik, Haushaltsgeräten sowie Halbleiter- und Solartechnologie.

22.803 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik Optik & Fototechnik

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