Semiconductor device
WO2012121255
Art A1
13. September 2012
Anmelder: Renesas Electronics Corporation 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2012121255
- Aktenzeichen
- EP12755680
- Anmeldetag
- 6. März 2012
- Veröffentlichung
- 13. September 2012
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L21/822H01L21/3205H01L21/768H01L21/8234H01L21/8238H01L23/522H01L27/04H01L27/06H01L27/088H01L27/092H01L29/786
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Renesas Electronics Corporation
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Renesas Electronics
Japanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Tokio, spezialisiert auf Mikrocontroller, analoge Bauelemente und Halbleiterlösungen unter anderem für die Automobil- und Industrieelektronik.
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