A method of forming a capacitor structure, and a silicon etching liquid used in this method

WO2012121263 Art A1 13. September 2012

Anmelder: FUJIFILM Corporation 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2012121263
Aktenzeichen: EP12755558
Anmeldetag: 28. Februar 2012
Veröffentlichung: 13. September 2012
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/308H01L21/306H01L21/8242H01L27/108

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: FUJIFILM Corporation
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Fujifilm

Japanischer Konzern, hervorgegangen aus der Fotofilmherstellung, heute aktiv in Bildgebung, Dokumentenlösungen, Materialwissenschaften sowie Diagnostik und Arzneimittelherstellung.

21.764 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von