Oxide for semiconductor layer for thin film transistor, semiconductor layer for thin film transistor which comprises said oxide, and thin film transistor

WO2012121332 Art A1 13. September 2012

Anmelder: Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho, Samsung Display Co., Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2012121332
Aktenzeichen: EP12755548
Anmeldetag: 8. März 2012
Veröffentlichung: 13. September 2012
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/786G02F1/1368G09F9/30H01L21/336H01L21/363H01L51/50H05B33/10

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firmen: Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho
Samsung Display Co., Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇰🇷 Samsung Display

Südkoreanisches Tochterunternehmen der Samsung-Gruppe, das Displaypanels wie OLED- und LCD-Bildschirme für Smartphones, Fernseher und weitere Elektronikgeräte entwickelt und herstellt.

5.709 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Anzeige-, Signal- & Kontrolltechnik Elektronik & Schaltungstechnik Halbleiter & Elektrische Bauelemente Optik & Fototechnik

Vertreten von