Ultra-long semiconductor nanowire structure and manufacturing method therefor

WO2012122789 Art A1 20. September 2012

Anmelder: Fudan University 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2012122789
Aktenzeichen: EP11860837
Anmeldetag: 28. September 2011
Veröffentlichung: 20. September 2012
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/06H01L21/463

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Fudan University
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Fudan University

Die Fudan University ist eine chinesische Eliteuniversität mit Sitz in Shanghai und breiter Forschung in Medizin und Chemie. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Medizintechnik und Gesundheit sowie organische Chemie, ergänzt durch Pharma und Halbleitertechnik. Anmeldungen erstrecken sich von 2000 bis 2025.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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