Semiconductor-device manufacturing method and semiconductor device

WO2012124190 Art A1 20. September 2012

Anmelder: Fuji Electric Co., Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2012124190
Aktenzeichen: EP11861119
Anmeldetag: 13. September 2011
Veröffentlichung: 20. September 2012
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/336H01L21/02H01L21/265H01L27/04H01L29/06H01L29/12H01L29/41H01L29/47H01L29/739H01L29/78H01L29/872

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Fuji Electric Co., Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Fuji Electric

Japanischer Elektrotechnikkonzern mit Sitz in Tokio, tätig in den Bereichen Leistungshalbleiter, Energieerzeugungsanlagen und industrielle Automatisierungstechnik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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