Method for producing oxide semiconductor thin film

WO2012124408 Art A1 20. September 2012

Anmelder: FUJIFILM Corporation 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2012124408
Aktenzeichen: EP12758082
Anmeldetag: 7. Februar 2012
Veröffentlichung: 20. September 2012
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/786C23C14/58G09F9/30H01L21/336H01L21/363

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: FUJIFILM Corporation
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Fujifilm

Japanischer Konzern, hervorgegangen aus der Fotofilmherstellung, heute aktiv in Bildgebung, Dokumentenlösungen, Materialwissenschaften sowie Diagnostik und Arzneimittelherstellung.

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Fachgebiete

Anzeige-, Signal- & Kontrolltechnik Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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