Patterned Graphene Structures On Silicon Carbide

WO2012125898 Art A1 20. September 2012

Anmelder: Georgia Tech Research Corporation 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2012125898
Aktenzeichen: EP12758195
Anmeldetag: 16. März 2012
Veröffentlichung: 20. September 2012
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/3065B32B3/30

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Georgia Tech Research Corporation
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Georgia Tech Research Corporation

Die Georgia Tech Research Corporation ist die Einrichtung des Georgia Institute of Technology in den USA, die Forschungsverträge verwaltet und geistiges Eigentum der Universität lizenziert.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Werkzeug-, Fertigungs- & Drucktechnik

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