Resistance variable memory and fabricating method thereof

WO2012126186 Art A1 27. September 2012

Anmelder: Peking University 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2012126186
Aktenzeichen: EP11861619
Anmeldetag: 12. April 2011
Veröffentlichung: 27. September 2012
Rechtsraum: WO
IPC: H01L45/00

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Peking University
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Peking University

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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