Process for inner absorption of impurities in czochralski silicon wafer

WO2012126334 Art A1 27. September 2012

Anmelder: Zhejiang University 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2012126334
Aktenzeichen: EP12760722
Anmeldetag: 16. März 2012
Veröffentlichung: 27. September 2012
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/322

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Zhejiang University
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Zhejiang University

Chinesische Universität mit Sitz in Hangzhou, eine der führenden Forschungshochschulen Chinas mit breitem Fächerspektrum einschließlich Ingenieurwissenschaften und Materialforschung.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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